欧晶科技公开一种具有氢氧化锆涂层的石英坩埚及其制备方法专利

（原标题：欧晶科技公开一种具有氢氧化锆涂层的石英坩埚及其制备方法专利）

企查查数据显示，欧晶科技（001269.SZ）公开一种具有氢氧化锆涂层的石英坩埚及其制备方法专利，申请日期为2026年8月24日。专利摘要显示，本发明公开了一种具有氢氧化锆涂层的石英坩埚及其制备方法，石英坩埚的内壁设置有氢氧化锆涂层，氢氧化锆涂层由高纯氢氧化锆与超纯水配制而成的氢氧化锆悬浮液经涂覆、干燥后形成；高纯氢氧化锆的纯度≥99.99%，超纯水的电阻率≥18.2MΩ·cm；氢氧化锆悬浮液中，高纯氢氧化锆与超纯水的质量比为1:8～1:20。优点在于：由于Zr4+离子半径（0.072 nm）与Si4+（0.040 nm）较为接近，高温下Zr4+与石英表面的Si—OH基团发生脱水缩合反应，形成Si—O—Zr共价键，将锆离子牢固钉扎于硅氧网络节点位置。该共价键的形成使硅氧网络结构趋于稳定，降低了氧空位的迁移率，从而显著抑制β?方石英的快速成核与晶体生长，使得析晶层厚度由现有技术的4～6 mm降至1～2 mm。
本文为AI基于商业动态数据生成，仅供参考。